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松浦 秀治*; 鏡原 聡*; 伊藤 祐司*; 大島 武; 伊藤 久義
Microelectronic Engineering, 83(1), p.17 - 19, 2006/01
被引用回数：3 パーセンタイル：24.47(Engineering, Electrical & Electronic)六方晶炭化ケイ素(4H-SiC)中のアルミニウム(Al)アクセプタ不純物の電気的な性質を明らかにするために、電子線照射した4H-SiCの正孔濃度を調べた。電子線照射はSiC中の炭素原子(C)のみをはじき出すことができる200keVと、シリコン(Si), C、及びAl全ての原子をはじき出す4.6MeVのエネルギーを用いて行った。その結果、200keV電子線照射では正孔濃度が減少し、それに対応するようにAlに関連する深い準位(活性化エネルギー:350meV)が増加した。このことより、200keV電子線照射によりAlアクセプタに隣接するC原子がはじき出されAl-V
のような複合欠陥が形成されることでAlアクセプタ濃度が減少する機構と、350eV付近の深い準位はAl-Vの複合欠陥に由来することが示唆された。一方、4.6MeV電子線照射では、正孔濃度は激減し、350meVの深い準位も若干の減少を示した。このことから、Si, C, Al原子を全てはじき出す高エネルギー電子線照射では、新たな欠陥が形成されて、正孔濃度が減少するとが考えられる。
Pensl, G.*; Ciobanu, F.*; Frank, T.*; Kirmse, D.*; Krieger, M.*; Reshanov, S.*; Schmid, F.*; Weidner, M.*; 大島 武; 伊藤 久義; et al.
Microelectronic Engineering, 83(1), p.146 - 149, 2006/01
被引用回数：15 パーセンタイル：59.32(Engineering, Electrical & Electronic)SiC中の欠陥を制御することで素子特性の改善に役立てることを目的に、炭化ケイ素(SiC)中及びSiC/酸化膜界面の欠陥の電気的性質を調べた。SiCへの欠陥導入には200keV及び2MeV電子線照射,窒素及び炭素イオン注入を行った。深部欠陥準位測定(DLTS)及び低温でのフォトルミネッセンス(LTPL)により欠陥を調べた結果、炭素原子のみをはじき出す200keV電子線照射では、全原子をはじき出す2MeV電子線照射とは異なる欠陥準位が観測された。また、SiC/酸化膜界面への窒素イオン注入により界面欠陥(界面準位)が観測限界以下の10
/cm
eV
まで減少することを見いだした。
成沢 雅紀*; 下田 学*; 杉本 雅樹*; 岡村 清人*; 瀬口 忠男
Advanced Materials '93; Ceramics, Powders, Corrosion and Advanced Processing, p.827 - 830, 1994/00
セラミック繊維の原料高分子であるポリカルボシラン(PCS)及びポリシラザン(PSZ)を高温で焼成し、セラミック化の反応過程をESRで解析した。有機物からセラミックへの転換過程でフリーラジカルが生成され、その濃度は反応速度に比例して大きくなった。このラジカル生成から反応過程を追跡した。
齋藤 勇一; 田島 訓; 高田 功; 水橋 清; 宇野 定則; 大越 清紀; 石井 保行; 神谷 富裕; 四本 圭一; 田中 隆一; et al.
Laser and Ion Beam Modification of Materials (Trans. of Materials Research Soc. Jpn., Vol. 17, 0, p.81 - 84, 1994/00
3台の静電加速器、ビーム輸送系及び実験装置から成るTIARA静電加速器施設が完成した。これは材料開発専用施設としてユニークな特徴をもっている。複数の加速器を同時に用いるデュアルビーム、トリプルビームなど複合ビームの特徴を生かした実験装置を中心に本施設の概要を発表する。
